850 nm锥形半导体激光器的温度特性

• 作者: 刘云 宁永强 杨晔 王立军 秦莉 黄海华
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 工学
• 关键词: 锥形半导体激光器 温度特性 特征温度
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 激光技术与应用
• 页码范围: 201-207
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CO.20130602.0201

摘要

采用激射波长为850 nm的A1GaInAs/A1GaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,分别制备了具有锥形结构和条形结构的半导体激光器,并对比分析了两者的温度特性.结果显示,测试温度为20 ～ 70℃时,锥形结构器件的特征温度为164 K,远高于条形结构器件的96 K;占空比为0.5％(t=50 μs,f=100 Hz),1 000mA脉冲电流注入条件下,锥形激光器和条形激光器的波长漂移系数分别为0.25和0.28 nm/K;测试温度＜50℃时,锥形激光器和条形激光器的光谱半高宽分别约为1.12和1.24 nm.实验结果表明:相同外延层结构条件下,锥形激光器比条形激光器拥有更高的特征温度.