808 nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析

• 作者: 宁永强 张建 张建伟 张金胜 张金龙 王立军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 808 nm 垂直腔面发射激光器 列阵 温漂特性
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1636-1640
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133412.1636

摘要

为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数.采用非闭合环结构,制备了2×2的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60μm.通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量.在温度为20℃、脉宽为50 μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW.通过变温测试,发现输出功率在50℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃.实验测得的温漂系数与理论值保持一致.