含缺陷一维光子晶体电场分布研究

• 作者: 刘晓静 吴向尧 吴坤朋 巴诺 张斯淇 李宏 王婧 郭义庆
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 光子晶体 缺陷 电场分布
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 82-87,92
• 页数: 7页
• 分类号: O734
• 字数: 4497字
• 语种: 中文

摘要

文章给出了任意入射角时光在一维光子晶体中的透射率及电场分布的解析式,研究了不同的入射角、入射光角频率、缺陷层折射率及光子晶体周期数对含缺陷的一维光子晶体场强分布的影响,同时研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率及场强分布的影响,所得到的一些结论为光子晶体的制备及应用提供新的有价值的理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓静	吉林师范大学物理学院	68	133	6.0	8.0
2	吴向尧	吉林师范大学物理学院	40	87	5.0	7.0
3	郭义庆	中国科学院高能物理研究所	46	72	4.0	7.0
4	巴诺	吉林师范大学物理学院	26	70	4.0	7.0
5	张斯淇	吉林师范大学物理学院	25	67	4.0	7.0
6	李宏	吉林师范大学物理学院	22	38	4.0	4.0
7	王婧	吉林师范大学物理学院	21	66	4.0	7.0
8	吴坤朋	吉林师范大学物理学院	5	5	2.0	2.0