ZnS修饰对ZnO纳米棒：P3HT复合薄膜I-V性质的影响

• 作者: 任志瑞 张晓松 徐建萍 李岚 王丽师 石少波 葛林
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO纳米棒阵列 表面修饰 电流-电压特性
• 年，卷（期）: 2013,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 375-380
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.196103

摘要

本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm 的 ZnO 纳米棒阵列,引入纳米 ZnS 对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了具有ITO (indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene)(P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件。通过I-V 曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压,串联电阻,反向漏电流及整流比等参数,认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低,整流比显著增强,展现出更优异的电子传输性能。光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制,弱化了电场激发下的载流子陷获,改善了器件的导电特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓松	天津理工大学材料物理研究所	21	91	7.0	9.0
2	徐建萍	天津理工大学材料物理研究所	9	14	2.0	3.0
3	石少波	天津职业技术师范大学理学院	4	1	1.0	1.0
4	任志瑞	天津理工大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
8	葛林	天津理工大学材料物理研究所	2	1	1.0	1.0
9	王丽师	天津理工大学电子信息工程学院	2	1	1.0	1.0