倒装芯片封装中非牛顿流体下填充的数值仿真

• 作者: 周鑫延 姚兴军 张关华 王正东 章文俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 倒装芯片 下填充 非牛顿流体 流体体积比函数 连续表面张力模型
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 封装技术
• 页码范围: 69-73,78
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.015

摘要

倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用.含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性.利用Fluent软件对具有非牛顿流体特性胶料的下填充过程进行了三维数值模拟.采用流体体积比函数(VOF)对流动前沿界面进行追踪,再用连续表面张力(CSF)模型来计算下填充流动的毛细驱动力,并用幂函数本构方程来体现下填充胶料的非牛顿流体特性.通过数值模拟,获得了下填充流动前沿位置随时间变化的数据,这些数据与实验结果有较好的吻合度.该数值方法可较好地预测具有非牛顿流体性质胶料的下填充过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王正东	华东理工大学机械与动力工程学院	96	922	16.0	24.0
2	姚兴军	华东理工大学机械与动力工程学院	16	96	6.0	9.0
3	张关华	华东理工大学机械与动力工程学院	1	4	1.0	1.0
4	周鑫延	华东理工大学机械与动力工程学院	2	8	2.0	2.0