65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究*

• 作者: 王玲 苏凯 袁菁 马瑶 高婷婷 龚敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 重离子辐照 径迹 65nm n沟MOSFET 模拟
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 27-30
• 分类号: TN3
• 字数: 3079字
• 语种: 中文

摘要

重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响.文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹.基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玲	四川大学物理科学与技术学院	111	310	10.0	12.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0
3	马瑶	四川大学物理科学与技术学院	15	31	3.0	5.0
4	袁菁	四川大学物理科学与技术学院	8	14	3.0	3.0
5	高婷婷	四川大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0
6	苏凯	四川大学物理科学与技术学院	2	14	2.0	2.0