磷化铟单晶退火及热应力分布的研究

• 作者: 刘志国 孙同年 孙聂枫 杨瑞霞 王阳 黄清芳
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: InP 单晶 热场 热应力 位错
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 405-410
• 分类号: O782+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.012

摘要

磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数.通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法.在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素.这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力.晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化.通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放.采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现“十”字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的“十”字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致.晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错.