IGBT器件的发展现状以及在智能电网中的应用

• 作者: 于坤山 何维国 刘先正 刘隽 张朋 金锐
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体 电力电子
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 11-16
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 字数: 4839字
• 语种: 中文

摘要

以绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)为代表的可关断半导体功率器件的成熟应用,推动了电力电子技术的又一次革新.首先介绍IGBT在智能电网中应用的重要性,对20多年来IGBT器件在芯片和封装等技术在国内外的发展水平进行回顾.重点分析IGBT的选型特点和在电网中的典型应用,最后分析在这些应用中使用IGBT器件所带来的深远影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何维国		28	1330	18.0	28.0
2	刘隽		14	666	7.0	14.0
3	于坤山	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	12	116	6.0	10.0
4	刘先正	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	4	89	4.0	4.0
5	金锐	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	11	77	5.0	8.0
6	张朋	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	2	46	2.0	2.0