p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响

• 作者: 孙丽 张保平 张江勇 梁明明 翁国恩 陈明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓 热退火 变温光致发光 铟团簇 位错密度
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 35-39
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.008

摘要

近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度.基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响.电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N2高温退火(800℃)相似的电学特性.变温光致发光测试表明,N2高温退火会在InGaN量子阱中形成In团簇,In团簇作为深的势阱增加了对载流子的束缚,能够将载流子更好地局限在势阱中.然而In团簇形成的同时也伴随着大量位错的产生,使其InGaN量子阱中的位错密度大幅度提高,因此室温下N2退火样品的辐射复合效率低于O2退火样品的辐射复合效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保平	厦门大学物理与机电工程学院	21	95	5.0	9.0
2	张江勇	厦门大学物理与机电工程学院	7	12	2.0	3.0
3	陈明	厦门大学物理与机电工程学院	4	15	2.0	3.0
4	孙丽	厦门大学物理与机电工程学院	4	1	1.0	1.0
5	梁明明	厦门大学物理与机电工程学院	1	1	1.0	1.0
6	翁国恩	厦门大学物理与机电工程学院	1	1	1.0	1.0