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摘要:
采用磁控溅射法在单层玻璃基片上制备了由多层薄膜构成的电致变色元件,通过XRD、SEM等对薄膜及元件的晶体结构、表面形貌等进行了表征分析.采用可见光透射谱,研究了元件的电致变色性能.结果表明,较低的基片温度和较大的靶基距是采用磁控溅射制备电致变色元件的两个很重要的因素.所制备的全薄膜电致变色元件在处于漂白态和着色态时,对可见光的透过率分别达到了47.19%和15.67%,对光的透射率调节范围为31.52%.该全薄膜电致变色元件在电致变色智能窗领域具有较大的应用潜力.
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文献信息
篇名 全薄膜电致变色元件的制备及其光学性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 电致变色元件 透射率调节 ITO 磁控溅射
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1087-1091
页数 5页 分类号 O484.4+1
字数 3041字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宋桂林 河南师范大学物理与电子工程学院河南省光伏材料重点实验室 36 125 6.0 9.0
2 詹华伟 河南师范大学物理与电子工程学院河南省光伏材料重点实验室 20 63 5.0 7.0
3 杨海刚 河南师范大学物理与电子工程学院河南省光伏材料重点实验室 17 50 4.0 6.0
5 张基东 河南师范大学物理与电子工程学院河南省光伏材料重点实验室 4 17 2.0 4.0
8 曹伟伟 河南师范大学物理与电子工程学院河南省光伏材料重点实验室 2 0 0.0 0.0
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电致变色元件
透射率调节
ITO
磁控溅射
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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