梯度放大器中MOSFET器件功率损耗分析

• 作者: 王斌 蒋晓华
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 梯度放大器 MOSFET建模 功率损耗
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 39-44
• 页数: 6页
• 分类号: TM13
• 字数: 2210字
• 语种: 中文

摘要

为分析梯度放大器样机中MOSFET器件的功率损耗,建立了适用于样机使用的MOSFET的器件行为模型,并通过简化实际电路的方法建立了仿真分析电路.在此基础上完成了不同工作状况下MOSFET器件及负载的功率损耗仿真分析；同时在梯度放大器样机上完成了相应工作状况的实验测量.仿真分析数据和实验结果表明了,二者对应波形吻合,且不同工作状况下功率损耗的计算结果误差在±10％以内,仿真分析可有效的应用于器件功率损耗分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋晓华	清华大学电机系	39	457	12.0	20.0
2	王斌	清华大学电机系	41	286	10.0	15.0