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摘要:
采用宽禁带半导体功率管进行超宽带大功率放大器设计.在仿真优化的基础上,进行了设计投产.经过调试,最终测试结果表明,在工作频率范围0.8-2GHz范围内,恒定输入功率41dBm的条件下,饱和输出功率大于100W,增益起伏±0.4dB,饱和漏极效率大于60%.文中最后对调试之后的匹配电路进行了后仿真,验证了匹配电路的有效性,并为小型化处理做了准备.
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文献信息
篇名 0.8-2GHz超宽带大功率放大器设计与研究
来源期刊 火控雷达技术 学科 工学
关键词 超宽带 GaN MOSFET 功率放大器
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目 接收/发射技术
研究方向 页码范围 57-60,73
页数 5页 分类号 TN74
字数 2219字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 倪涛 2 7 1.0 2.0
2 郑智潜 8 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
超宽带
GaN MOSFET
功率放大器
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
火控雷达技术
季刊
1008-8652
61-1214/TJ
16开
陕西省西安市132信箱28分箱
1972
chi
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1729
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