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摘要:
利用分子印迹技术,以铜离子为模板,邻苯二胺为功能单体,在碳纳米管修饰的玻碳电极表面原位聚合,制备了铜离子印迹电化学传感器.采用差示脉冲伏安法对铜离子在该印迹电极上的电化学行为进行了研究.铜离子在2.0×l0-3 ~1.0×l0-10mol·L-1浓度区间内与峰电流呈线性关系,其线性回归方程为Ip=1.660gC-1.999(I:μA,C:μmol·L-1),相关系数为0.9920,检出限(S/N=3)达1.8×10-11 mol·L-1,该法可用于自来水样中铜离子的检测.
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分子印迹电化学传感器的研究进展
分子印迹技术
电化学传感器
目标分子
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文献信息
篇名 分子印迹铜离子伏安传感器的研制与应用
来源期刊 化学研究与应用 学科 化学
关键词 铜离子 碳纳米管 分子印迹聚合物膜 电化学传感器
年,卷(期) 2013,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1351-1356
页数 6页 分类号 O657
字数 5623字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志华 西北师范大学化学化工学院甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室 12 175 6.0 12.0
2 卢小泉 西北师范大学化学化工学院甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室 92 897 16.0 27.0
3 徐丽娟 西北师范大学化学化工学院甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室 2 10 1.0 2.0
4 李锦书 西北师范大学化学化工学院甘肃省生物电化学与环境分析重点实验室 1 10 1.0 1.0
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化学研究与应用
月刊
1004-1656
51-1378/O6
大16开
四川省成都市武侯区望江路29号四川大学化学学院内
62-180
1989
chi
出版文献量(篇)
6995
总下载数(次)
13
总被引数(次)
39631
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