100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN

• 作者: 丛宏林 包琦龙 张昊翔 徐小明 江忠永 罗军 赵超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 氮化铝 氮化镓 硅衬底 高分辨率X射线衍射
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 130-134
• 分类号: TN304.054|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.02.012

摘要

为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变的AlGaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果.实验结果表明,适当的预铺铝时间可以显著提高AlN成核层晶体质量,合理的AlN层厚度有助于上层GaN的生长,AlN与GaN之间AlGaN缓冲层的引入可以有效抑制GaN裂纹的产生.最后,采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)测试了MOCVD外延生长的无裂纹GaN材料,得到AlN (002)面、GaN (002)面和GaN (102)面的衍射峰半峰宽(FWHM)分别为1 382,550和746 arcsec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗军	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	51	222	8.0	12.0
2	丛宏林		4	5	1.0	2.0
3	江忠永		4	5	1.0	2.0
4	包琦龙	中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	2	1	1.0	1.0
8	徐小明		3	2	1.0	1.0
9	张昊翔		3	2	1.0	1.0