华虹NEC 0.13/0.18μm SiGe工艺技术成功进入量产

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: SIGE 工艺技术 晶圆代工厂 射频前端 光通讯 手机通讯 器件性能 无线路由 器件模型 客户选择
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（1）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN305

摘要

【正】日前,世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称"华虹NEC")宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18μm SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18μmSiGe量产工艺的代工厂之一。该新型SiGe工艺平台包括0.13μm SiGeBipolar及0.18μm SiGe BiCMOS