电子束快退火法制备MgB2薄膜及性质研究

• 作者: 冯庆荣 孔祥东 张怀 戴倩 杨倩倩 王福仁 聂瑞娟 韩立
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 电子束退火 MgB2 超导薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

利用电子束快退火法制备了MgB2超导薄膜.该方法利用高能电子束,在中真空条件下照射Mg-B多层前驱膜,照射时间维持在1s以下.在电子束的作用下,前驱膜中的Mg和B迅速反应,形成MgB2相.整个退火过程没有Mg蒸气与氩气保护,极短的退火时间有效地限制了前驱膜中Mg的流失和Mg与其它物质的反应.与传统制备工艺相比,该方法避免了混合物理化学气相沉积法中乙硼烷的使用；省去异位退火法中提供高Mg蒸气压的限制,避免在有Mg块存在情况下退火后样品表面存在Mg污染的问题.利用该方法在SiC(001)衬底上生长了100nm厚的MgB2薄膜,其超导转变温度Tc～35K,均方根粗糙度为3.6nm,临界电流密度Jc(5K,0 T) =3.8×106 A/cm2.该方法对MgB2薄膜的大规模工业生产提供了一个新思路.