近红外响应的Ⅲ-Ⅴ族半导体光电阴极材料及工艺

• 作者: 王旺平 马建一
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 负电子亲和势光电阴极 转移电子光阴极 GaAs InGaAs InGaAsP
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 194-197,207
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 4615字
• 语种: 中文

摘要

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展.针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-Ⅴ族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能.通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马建一	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	34	3.0	5.0
2	王旺平	中国电子科技集团公司第五十五研究所	2	9	1.0	2.0