碳化硅在不同测量方法下的电阻特性

• 作者: C.VangaBouanga(加拿大)
• 来源期刊: 国外大电机
• 学科: 工学
• 关键词: 电气性能 电阻率 siC粉末 x光衍射 球磨
• 年，卷（期）: gwddj,（2）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TM862

摘要

本文通过控制颗粒的尺寸、形状和密实程度（施加压力），研究了在低电压和高电压作用下SiC粉末的电阻率与研磨时间的函数关系。工业SiC粉末的颗粒形状和尺寸可以通过球磨进行改变。不同SiC粉末的电气性能是在低电压下利用压控欧姆表和频谱仪测得。当研磨时间由5mi增加到30min时，电阻率从7MΩ·cm增至54MΩ·cm，相应地，颗粒尺寸由54μm降到4．5μm。在高场强作用下进行了非线性伏安特性研究。研磨粉末的尺寸极小时以及晶态结构时，应用了X光衍射和电镜扫描手段来放大和突出。