基于CMOS工艺的低噪声、高增益混频器

• 作者: 吕瑛 康星朝
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS混频器 电流注入 噪声抵消 高增益
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 144-146,149
• 页数: 4页
• 分类号: TN773
• 字数: 1983字
• 语种: 中文

摘要

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器.通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声;并且在开关管的源级增加电流注入电路的基础上并联一个电容与开关管共源节点处的寄生电容谐振,进一步降低混频器的噪声,增大电路的增益.仿真结果表明,在本振(LO)频率为2.395 GHz,射频(RF)频率为2.4GHz时,混频器的增益为14.2dB,双边带噪声系数为5.9dB,输入三阶交调点为-3.2dBm.混频器工作电压1.8V,直流电流为8mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕瑛	西北工业大学明德学院电子信息工程系	8	25	2.0	5.0
2	康星朝		3	7	2.0	2.0