中国IGBT制造业发展、现状与问题的思考

• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子 绝缘栅双极型晶体管 制造业
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文

摘要

首先陈述世界范围内绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)的发展,进而主要说明对于中国IGBT的发展、现状与问题的初步思考,以期引起同行讨论,为下一步发展凝聚共识,降低发展成本.