不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

• 作者: 储向峰 叶明富 孙文起 毕磊 熊伟 董永平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石 化学机械抛光 去除速率 表面粗糙度 磨料
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1064-1069
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3197字
• 语种: 中文

摘要

本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想；而采用含1％粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm；采用含1％粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储向峰	安徽工业大学化学化工学院	59	209	6.0	11.0
2	董永平	安徽工业大学化学化工学院	45	183	7.0	11.0
3	孙文起	安徽工业大学化学化工学院	15	45	3.0	6.0
4	叶明富	安徽工业大学化学化工学院	49	104	5.0	8.0
5	熊伟	安徽工业大学化学化工学院	5	67	4.0	5.0
6	毕磊	安徽工业大学化学化工学院	4	31	2.0	4.0