金属磁记忆传感器封装技术

• 作者: 孙秉才 张仁庆 张广伟 张来斌 樊建春 赵坤鹏 齐立娟
• 来源期刊: 无损检测
• 学科: 工学
• 关键词: 金属磁记忆 传感器 封装 压力试验
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TG115.28
• 语种: 中文

摘要

通过分析压力传感器和FBG传感器的结构,针对金属磁记忆传感器自身特点,结合井下作业要求,提出了金属磁记忆传感器的封装设计原则；根据该原则,设计出了一种金属磁记忆传感器的封装结构,并对其进行了有限元模拟分析；对封装后的金属磁记忆传感器实物进行了室内压力试验研究,确定了该设计的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张来斌		175	1325	18.0	27.0
2	樊建春		76	513	13.0	18.0
3	孙秉才		10	22	3.0	4.0
4	张广伟		4	1	1.0	1.0
5	张仁庆		3	6	1.0	2.0
6	齐立娟		1	0	0.0	0.0
7	赵坤鹏		2	5	1.0	2.0