原文服务方: 材料研究与应用       
摘要:
采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备稀土掺杂铝酸锶薄膜,在900℃和1100℃下、弱还原气氛中退火,分别得到SrAl2 O4∶Eu2+,Dy3+和Sr4 Al14 O25∶Eu2+,Dy3+长余辉发光薄膜。结果表明:SrAl2 O4结构是形成Sr4 Al14 O25相结构的中间相;在360 nm激发光激发下,SrAl2 O4∶Eu2+,Dy3+薄膜发光峰位于517 nm处左右,发光强度相对略高于Sr4 Al14 O25∶Eu2+,Dy3+薄膜,且后者发光峰位于490 nm处左右;Sr4 Al14 O25∶Eu2+,Dy3+薄膜的余辉性能优于SrAl2 O4∶Eu2+,Dy3+薄膜。
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文献信息
篇名 射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜
来源期刊 材料研究与应用 学科
关键词 磁控溅射 铝酸锶 长余辉 薄膜
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目 工艺与装备
研究方向 页码范围 188-192
页数 5页 分类号 O482.3
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁枫 湛江师范学院物理科学与技术学院 10 29 3.0 5.0
2 邵乐喜 湛江师范学院物理科学与技术学院 22 106 6.0 9.0
3 谢伟 湛江师范学院物理科学与技术学院 6 13 3.0 3.0
4 邹长伟 湛江师范学院物理科学与技术学院 4 13 3.0 3.0
5 唐美蝶 湛江师范学院物理科学与技术学院 1 4 1.0 1.0
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