湿法腐蚀GaP对LED性能的影响

• 作者: 尹以安 毛明华 王后锦 王维韵
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化镓 湿法腐蚀 粗化 LED 光电性能
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 114-117
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.02.008

摘要

采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响.结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HN03∶H20体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未进行粗化的样品亮度提升25％左右.并且腐蚀小孔的深度会随着反应时间的增加而逐渐加深,但样品的发光亮度则表现为先增加后减小.湿法腐蚀因其操作简单,成本低廉,反应条件易控,可适用于工业化大批量生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹以安	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	5	1.0	2.0
2	王后锦		3	5	1.0	2.0
3	毛明华		3	5	1.0	2.0
4	王维韵		2	4	1.0	2.0