纳米化SnO2气敏材料的研究进展

• 作者: 刘拥军 杜国芳 蒋秋萍 赵鹤云
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: SnO2 纳米结构 综述 特殊形貌 气敏特性
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 77-81,83
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 5435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.02.020

摘要

二氧化锡(SnO2)是一种传统的n型半导体气敏材料,纳米化是改进和提高SnO2气敏特性的重要途径.对近几年来SnO2气敏材料纳米化的研究进行了介绍,主要针对几种典型的具有特殊形貌纳米结构的SnO2气敏材料合成方法和气敏特性等方面的研究成果进行了概述,并对这些特殊形貌纳米结构SnO2作为高性能气敏材料应用和发展的前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵鹤云	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系	42	292	9.0	14.0
2	刘拥军	云南大学现代分析测试中心	12	95	5.0	9.0
3	蒋秋萍	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系	1	8	1.0	1.0
4	杜国芳	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系	2	13	2.0	2.0