AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究

• 作者: 刘征 杜斌 杨华猛 杨振涛 杨艳玲 鲁燕萍
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN-SiC微波衰减材料 损耗机理 SPS烧结
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: TM271
• 字数: 3468字
• 语种: 中文

摘要

分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料.采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构.研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98％,介电性能在X波段ε'为14.01 ～13.98,tgδ为0.158 ～0.163,在Ku波段ε'为11.48 ～10.96,tgδ为0.18 ～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95％,在X波段的ε'为26.97 ～24.26,tgδ为0.326 ～0.327.探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘征		26	158	7.0	11.0
2	鲁燕萍		29	217	9.0	14.0
3	杜斌		6	15	2.0	3.0
4	杨艳玲		6	20	3.0	4.0
5	杨振涛		3	10	2.0	3.0
6	杨华猛		2	8	2.0	2.0