热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

• 作者: 向钢 张丹青 张析 李瑞
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 热蒸发法 第Ⅳ族半导体 Si纳米线 Ge纳米线 SiGe纳米线
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TB383
• 字数: 3124字
• 语种: 中文

摘要

系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李瑞	四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室	27	68	5.0	7.0
2	向钢	四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室	7	6	2.0	2.0
3	张析	四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室	3	2	1.0	1.0
4	张丹青	四川大学物理科学与技术学院辐射物理与技术教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0