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摘要:
利用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像(OIM)技术研究了形变量及退火时间对H68黄铜晶界网络的影响.结果显示,形变量对处理后样品的晶界特征分布及晶粒尺寸和晶粒团簇尺寸都有显著影响,而退火时间(10 min~3 h)所产生的影响不明显;其中经5%冷轧及在550℃下退火不同时间都能够显著提高H68黄铜的低∑CSL晶界比例到80%以上,晶界网络中形成了大尺寸的互有∑3n(n=1,2,3……)取向关系晶粒的团簇.
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文献信息
篇名 利用晶界工程技术优化H68黄铜中的晶界网络
来源期刊 上海金属 学科
关键词 H68黄铜 晶界工程 晶粒团簇 晶界网络 低∑CSL晶界比例
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目 材料组织与性能
研究方向 页码范围 9-13,62
页数 6页 分类号
字数 2240字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周邦新 上海大学材料研究所 189 1371 18.0 29.0
2 夏爽 上海大学材料研究所 38 320 11.0 17.0
3 李慧 上海大学材料研究所 38 124 6.0 10.0
4 白琴 上海大学材料研究所 22 42 5.0 6.0
5 刘廷光 上海大学材料研究所 9 32 3.0 5.0
6 杨辉辉 上海大学材料研究所 2 12 2.0 2.0
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H68黄铜
晶界工程
晶粒团簇
晶界网络
低∑CSL晶界比例
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上海金属
双月刊
1001-7208
31-1558/TF
大16开
上海市延长路149号15信箱
32-53
1979
chi
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