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低压压印制备硅点阵结构的工艺研究
低压压印制备硅点阵结构的工艺研究
作者:
刘玉东
李鑫
王旭迪
王时飞
陶伟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅点阵
纳米压印
反应离子刻蚀
有限元分析
摘要:
高密度、图形规则的硅点阵结构由于其独特的光电性能具有广泛的应用前景.本文介绍了一种以低压压印结合反应离子刻蚀制备硅点阵的方法,即利用PDMS模板通过压印复制获得PMMA掩模结构,用反应离子刻蚀在硅片表面制得高度有序的硅纳米点阵结构.实验和有限元模拟结果表明,低压压印因为毛细作用下光刻胶在模板内的充分填充可以获得良好的图形复制精度和较小的残余胶厚度,因此适于大面积高密度光刻胶结构的均匀复制.
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文献信息
篇名
低压压印制备硅点阵结构的工艺研究
来源期刊
真空
学科
工学
关键词
硅点阵
纳米压印
反应离子刻蚀
有限元分析
年,卷(期)
2013,(4)
所属期刊栏目
纳米材料
研究方向
页码范围
68-71
页数
4页
分类号
TB79
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王旭迪
合肥工业大学机械与汽车工程学院真空与过程装备工程系
40
192
9.0
12.0
2
李鑫
合肥工业大学机械与汽车工程学院真空与过程装备工程系
66
265
8.0
12.0
3
陶伟
合肥工业大学机械与汽车工程学院真空与过程装备工程系
7
21
4.0
4.0
4
王时飞
合肥工业大学机械与汽车工程学院真空与过程装备工程系
4
16
2.0
4.0
5
刘玉东
合肥工业大学机械与汽车工程学院真空与过程装备工程系
1
5
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引证文献(3)
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
硅点阵
纳米压印
反应离子刻蚀
有限元分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
主办单位:
中国机械工业集团公司沈阳真空技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-0322
CN:
21-1174/TB
开本:
大16开
出版地:
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
邮发代号:
8-30
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
2692
总下载数(次)
3
总被引数(次)
12898
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