氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究

• 作者: 于威 傅广生 朱海荣 李云 王建涛 郭少刚
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶硅 富硅氧化硅 低温沉积 微结构
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1035-1040
• 页数: 6页
• 分类号: O77
• 字数: 3746字
• 语种: 中文

摘要

以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响.结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小.薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
3	王建涛	河北大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0
4	李云	河北大学物理科学与技术学院	3	4	2.0	2.0
5	郭少刚	河北大学物理科学与技术学院	4	7	2.0	2.0
6	朱海荣	河北大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0