H2流量对直流磁控溅射低温沉积ZnO∶Al薄膜结构与性能的影响

• 作者: 刘业翔 刘芳洋 张坤 李劼 赖延清 赵联波 邹忠
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO∶Al薄膜 磁控溅射 H2流量 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 28-33
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 字数: 3547字
• 语种: 中文

摘要

在Ar和H2的混合气氛下采用直流磁控溅射在玻璃衬底上低温沉积Al掺杂ZnO,即ZnO∶Al透明导电薄膜,研究H2流量(0～10sccm)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响.结果表明:不同H2流量下制备的ZnO∶Al薄膜均为高度C轴取向的六角纤锌矿结构,溅射过程中通入适量的H2能改善ZnO∶A1薄膜的结晶质量和表面形貌；所有薄膜在400～ 900nm范围内的平均透过率均高于85％；随着H2流量的增大,薄膜的载流子浓度升高,电阻率减小,达到10-4Ω·cm数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘业翔	中南大学冶金科学与工程学院	179	2522	25.0	39.0
2	李劼	中南大学冶金科学与工程学院	259	2311	22.0	31.0
3	赖延清	中南大学冶金科学与工程学院	224	2239	23.0	32.0
4	张坤	中南大学冶金科学与工程学院	31	415	14.0	19.0
5	邹忠	中南大学冶金科学与工程学院	44	394	13.0	17.0
6	刘芳洋	中南大学冶金科学与工程学院	29	88	7.0	9.0
7	赵联波	中南大学冶金科学与工程学院	3	4	1.0	2.0