拓扑绝缘体Bi2Se3单晶体的研究进展

• 作者: 吕莉 张敏 杨立芹 羊新胜 赵勇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 拓扑绝缘体 晶体生长 Bi2Se3
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 7-12
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5199字
• 语种: 中文

摘要

拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力.阐述了拓扑绝缘体Bi2 Se3单晶的制备方法、输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展；总结了各种化学掺杂方法对Bi2 Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2 Se3的研究发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	63	389	10.0	17.0
2	赵勇	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	92	334	11.0	17.0
3	杨立芹	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	4	30	2.0	4.0
4	羊新胜	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	19	71	4.0	8.0
5	吕莉	西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	3	30	2.0	3.0