原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性

• 作者: 任舰 李丽莎 焦晋平 闫大为 顾晓峰 黄红娟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 原子层沉积 Al2O3/n-GaN 金属-氧化物-半导体结构 电容特性
• 年，卷（期）: 2013,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 414-419
• 页数: 6页
• 字数: 3179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.197203

摘要

利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构，研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响，分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源。在无光照情形下，由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率，样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为，且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变。当器件受紫外光照射时，半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子，同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应。非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大，其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的“charge-to-breakdown”过程。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	22	113	6.0	9.0
2	闫大为	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	3	3	1.0	1.0
3	任舰	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	2	3	1.0	1.0
4	李丽莎	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	1	1	1.0	1.0
5	焦晋平	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	1	1	1.0	1.0
6	黄红娟	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	1	1	1.0	1.0