AlN压电薄膜的制备工艺

• 作者: 姚明秋 席仕伟 施志贵 王旭光 陈颖慧
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 射频反应磁控溅射 c轴择优取向 X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 506-511
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.08.006

摘要

采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响.为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响.采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度.对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席仕伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	59	4.0	7.0
2	施志贵	中国工程物理研究院电子工程研究所	20	121	7.0	10.0
3	陈颖慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	82	6.0	8.0
4	王旭光	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	27	3.0	5.0
5	姚明秋	中国工程物理研究院电子工程研究所	7	30	3.0	5.0