VEGF/VEGFR在脑缺血再灌注损伤中的神经保护作用

• 作者: 丁凤菲 何佳 刘敏珍 王伟
• 来源期刊: 神经损伤与功能重建
• 学科: 医学
• 关键词: VEGF/VEGFR 缺血半暗带 脑内皮细胞
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 177-180
• 页数: 4页
• 分类号: R741|R741.02
• 字数: 2702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3870/sjsscj.2013.03.005

摘要

目的：研究VEGF/VEGFR在脑缺血再灌注损伤中的神经保护作用。方法：SD大鼠108只，随机分为假手术组、对照组与VEGFR抗体组，每组36只，制备大脑中动脉缺血再灌注损伤（MCAO）模型，假手术组不造成缺血。VEGFR抗体组在造模前20 min侧脑室注射VEGF抗体，假手术组、对照组侧脑室注射等量生理盐水。比较3组在造模后1、3、7 d Bederson评分、VEGFR及缺血半暗带VEGFR2的变化。结果：VEGFR抗体组的Bederson评分在第1、3天高于对照组（P约0.05），VEGFR的表达在第1、3天低于对照组（P约0.01），但较假手术组高；VEGFR抗体组VEGFR2表达在第1、3天低于对照组（P约0.01）。结论：脑缺血再灌注损伤时，VEGF活化刺激VEGFR表达上调，促进血管内皮细胞增殖，加速新生血管形成。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	华中科技大学同济医学院附属同济医院神经内科	371	2310	22.0	32.0
2	何佳	华中科技大学同济医学院附属同济医院神经内科	15	162	7.0	12.0
3	丁凤菲	华中科技大学同济医学院附属同济医院神经内科	5	51	3.0	5.0
4	刘敏珍	华中科技大学同济医学院附属同济医院神经内科	2	27	2.0	2.0