二氧化硅工艺中颗粒污染的解决方案

• 作者: 施国勇 杨旭敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 颗粒 APCVD 二氧化硅 炉管
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 34-37
• 分类号: TN305
• 字数: 2666字
• 语种: 中文

摘要

在亚微米的半导体生产制造技术中,二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压,已经成为产品良率的主要影响因素.文章主要针对目前市面上流行的TEL Alpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究.通过大量的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验设备和器材,炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等,找到产生颗粒污染的原因,并且找到解决问题的方案.在减少机台停机时间的同时,提高了机台的使用率,而且改善了颗粒污染的状况,最终获得良率的提升,优化了制造工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施国勇	上海交通大学微电子学院	10	21	3.0	4.0
2	杨旭敏	上海交通大学微电子学院	2	9	1.0	2.0