基于CuxSiyO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

• 作者: 朱伟 林殷茵 简文翔 薛晓勇
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变式随机存储器 总剂量辐照 CuxSiyO 60C0γ射线
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子学与固体电子学
• 页码范围: 292-296
• 分类号: TN407
• 语种: 中文

摘要

研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000 Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	朱伟	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	18	121	5.0	10.0
3	薛晓勇	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	6	3	1.0	1.0
4	简文翔	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	4	9	2.0	3.0