MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜

• 作者: 史志峰 崔夕军 张宝林 张金香 杜国同 殷伟 王辉 董鑫 赵旺
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD ZnO薄膜 Ga、P掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133401.0082

摘要

采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征.通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019 cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016 cm-3.所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性.