直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁

• 作者: 危书义 夏从新 袁花只 贾亚磊 陈晓阳
• 来源期刊: 河南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 激子态 带间光跃迁
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: O471.3
• 字数: 2101字
• 语种: 中文

摘要

利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-xGex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感;基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小,同时光极化率峰值所对应的光子能量减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	危书义	河南师范大学物理与电子工程学院	37	99	5.0	7.0
2	夏从新	河南师范大学物理与电子工程学院	11	32	4.0	4.0
3	袁花只	河南师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
4	贾亚磊	河南师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
5	陈晓阳	河南师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0