具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED

• 作者: 丁彬彬 宋晶晶 张运炎 范广涵 赵芳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 三角形量子阱 数值模拟
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: TM23|O242.1
• 字数: 1280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133401.0066

摘要

对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究.分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析.对具有不同量子阱数量的InGaN/GaNLED进行了理论数值比对研究.研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能.同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	赵芳	华南师范大学光电子材料与技术研究所	9	32	4.0	5.0
3	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0
4	宋晶晶	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	17	2.0	4.0
5	丁彬彬	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	10	2.0	3.0