基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究

• 作者: 周剑良 左国平 柯国土
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 蒙特卡罗方法 宽带隙半导体 电子数密度 背散射系数 射程
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 221-226
• 页数: 6页
• 分类号: TL81
• 字数: 3239字
• 语种: 中文

摘要

利用蒙特卡罗方法研究了GaN、SiC等几种宽带隙半导体材料在β源辐照下的行为.结果表明表层中沉积的β粒子数密度随材料密度的增加而增加,其最大电子数密度与物质密度间存在近似的线性关系；电子数密度随粒子入射深度成指数衰减,随横向迁移距离的增加而迅速衰减,其横向最大迁移距离在6 mm左右.相对高能电子而言,低能电子更容易发生电离作用,且电子的沉积能随入射深度逐渐减少.对于0.1 ～500 keV的入射电子,GaN、SiC等半导体材料的背散射系数大约在0.04～0.38之间,其大小与材料及入射电子能量有关.β粒子在GaN、SiC等材料中的射程都比较短,对于0.5 MeV的β粒子其最大射程不超过1 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯国土		21	55	4.0	6.0
2	周剑良	南华大学核科学技术学院	93	359	9.0	12.0
3	左国平	南华大学核科学技术学院	35	88	6.0	7.0