碱性抛光液中纳米SiO2磨料在Cu CMP中的作用

• 作者: 刘玉岭 戎向向 王海霞 王萌 王辰伟 田巧伟 郑伟艳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 铜布线 磨料浓度 去除速率 平坦化效率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 52-56
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.01.010

摘要

GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用.研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300mm铜布线平坦化作用的影响.结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变好,但磨料质量分数过高时,铜的去除速率略有降低,可能由于纳米SiO2表面硅羟基吸附在金属铜表面,导致质量传递作用变弱,引起速率降低.通过对图形片平坦化实验研究表明,随着磨料质量分数的增大,平坦化能力增强,这是因为磨料的质量分数增大使得高低速率差增大,能够有效消除高低差,实现平坦化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	郑伟艳	河北工业大学微电子研究所	8	72	5.0	8.0
4	王萌	河北工业大学微电子研究所	7	27	3.0	5.0
5	王海霞	河北工业大学微电子研究所	6	69	5.0	6.0
6	田巧伟	河北工业大学微电子研究所	5	15	2.0	3.0
7	戎向向	河北工业大学微电子研究所	2	19	2.0	2.0