热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响

• 作者: 周路 王云华 王文 白端元 薄报学 许留洋 高欣
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 单芯片半导体激光器 有源区 热沉 ANSYS 稳态热分析
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 765-769
• 分类号: TN248
• 语种: 中文

摘要

半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一.利用ANSYS软件对工作波长为808 nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高欣	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	38	214	8.0	13.0
2	王云华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	39	4.0	6.0
3	周路	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	48	4.0	6.0
4	王文	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	5	60	4.0	5.0
5	许留洋	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	8	75	6.0	8.0
6	白端元	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	11	16	2.0	4.0