一款超宽带GaAs单片数字移相器

• 作者: 王凯 甄建宇 赵瑞华 陈娜 韩玉鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 砷化镓 单片微波集成电路(MMIC) 数字移相器 均方根误差(RMS)
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 807-811
• 分类号: TN43|TN623
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.11.002

摘要

分析了单片数字移相器的移相原理,详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺技术设计并制作了一款超宽带6 bit数字移相器.采用ADS Momentum微波设计环境进行了电路仿真,在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试.测试结果表明,6 bit数控移相器在工作频率为8 ～ 12 GHz时,主要移相态的均方根相位误差(RMS)值小于2.0°,回波损耗小于-11 dB,插入损耗为8.0～9.5 dB,插损波动为-0.5 ～0.8 dB,控制电压为-5 V/0 V.6 bit数字移相器的电路尺寸为4.1 mm×1.5 mm,并行输入控制信号,其有效工作带宽达到了40％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凯	中国电子科技集团公司第十三研究所	36	31	4.0	4.0
2	赵瑞华	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	39	3.0	5.0
3	陈娜	电子科技大学物理电子学院	10	16	3.0	4.0
4	甄建宇	电子科技大学物理电子学院	3	8	1.0	2.0
8	韩玉鹏	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0