耗散功率与环境温度对功率VDMOS热阻的影响分析

• 作者: 王立新 董晨曦
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 热阻 电学法 耗散功率 环境温度
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 755-759
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.06.001

摘要

运用电学测试法,以TO-39和TO-254两款不同封装类型功率VDMOS为实验对象,深入研究了耗散功率和环境温度对器件稳态热阻值的影响.结果表明:器件热阻值不是一个恒定不变的常量,由于电流拥挤效应,材料导热系数等条件的改变,它会随耗散功率及环境温度的增大而增大.该研究加深了对功率器件热阻理论的认识,为功率VDMOS的热特性评估提供了可靠的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
2	董晨曦	中国科学院微电子研究所	4	26	3.0	4.0