PbO和Bi2O3-Li2CO3助烧剂对Pb(Zr0.9Ti0.1)O3厚膜热释电性能的影响

• 作者: 姚飞 张光祖 张捷钰 罗中杰 苏小义
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PZT厚膜 助烧剂 丝网印刷 热释电性能 探测率优值
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TM277
• 字数: 3537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.02.004

摘要

采用丝网印刷工艺制备了Pb(Zr0.9T0.1)O3(PZT)厚膜,研究了过量PbO和Bi2O3-Li2CO3共同助烧对PZT厚膜低温烧结特性、微观结构、相构成以及介电和热释电性能的影响.结果表明:随着过量PbO及Bi2O3-Li2CO3添加量的增加,PZT厚膜的烧结温度和晶粒尺寸均逐渐降低.当PbO过量6.4％(质量分数)、Bi2O3-Li2CO3添加量为5.4％(质量分数)时,PZT厚膜可在900℃低温下致密成瓷,且其热释电系数和探测率优值均得到大幅提高;所得样品在30℃时的热释电系数为10.6×10-8C·cm-2·K-1,探测率优值为8.2×10-5Pa-1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗中杰	中国地质大学数学与物理学院	26	95	6.0	9.0
2	张光祖	华中科技大学光学与电子信息学院	18	45	4.0	6.0
3	姚飞	华中科技大学光学与电子信息学院	33	146	6.0	11.0
4	苏小义	中国地质大学数学与物理学院	2	1	1.0	1.0
5	张捷钰	中国地质大学数学与物理学院	1	1	1.0	1.0