GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

• 作者: 吕玲 张进成 林志宇 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 空间电子技术
• 关键词: 质子辐照 氮化镓高电子迁移率晶体管 Ga空位 二维电子气
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 空间能量传输专题
• 页码范围: 33-38
• 页数: 6页
• 字数: 3352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2013.03.008

摘要

文章研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×1014,4×1014和1×1015 protons/cm2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。 AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。 Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕玲	宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0
2	林志宇	宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0
3	张进成	宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0
4	马晓华	宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0
5	郝跃	宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0