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摘要:
IGS电离层V T EC产品对电离层相关研究具有重要应用价值,其全球用户呈不断快速增长趋势。由于缺乏较详细的内插算法介绍,结合IO N EX1.0格式说明文件和瑞士BERN大学源代码对内插算法进行了解析,并以2013年5月16日产品为例说明了四种内插算法的差异,为准确使用IGS电离层V T EC产品提供了参考。
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文献信息
篇名 IGS 电离层 VTEC 产品内插算法解析
来源期刊 全球定位系统 学科 地球科学
关键词 IGS电离层产品 VTEC IONEX1.0 内插算法 解析
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目 理论研究
研究方向 页码范围 17-21
页数 5页 分类号 P228
字数 2613字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王五魁 1 15 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
IGS电离层产品
VTEC
IONEX1.0
内插算法
解析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
全球定位系统
双月刊
1008-9268
41-1317/TN
大16开
河南新乡138信箱3分箱
36-219
1976
chi
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2316
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7
总被引数(次)
11089
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导