10～30 keV二次电子发射系数的表达式

• 作者: 刘战辉 吴红艳 王祖松 詹煜 谢爱根
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 通式 二次电子发射系数 金属 半金属 元素半导体
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 542-546
• 分类号: O462.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.06.07

摘要

根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式.还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(δPE)的表达式.根据δPE、δm和高能二次电子发射系数(δ)之间的关系,推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次(n)和原电子入射能量为变量δ的通式.用ESTR程序计算出一些材料的10～ 30 keV能量范围内的参数A和n.用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较,结果表明,成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～ 30 keV的δ通式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢爱根	南京信息工程大学物理与光电工程学院	20	51	4.0	6.0
2	吴红艳	南京信息工程大学物理与光电工程学院	12	27	3.0	4.0
3	詹煜	南京信息工程大学物理与光电工程学院	12	33	4.0	5.0
4	王祖松	南京信息工程大学物理与光电工程学院	3	4	2.0	2.0
5	刘战辉	南京信息工程大学物理与光电工程学院	9	17	3.0	3.0