一种S频段GaN功率放大器的研制

• 作者: 崔浩 罗维玲 胡文宽 龚利鸣
• 来源期刊: 空间电子技术
• 关键词: GaN 仿真设计 宽禁带 半导体 功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 空间能量传输专题
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 字数: 1193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2013.03.007

摘要

氮化镓功率管的宽禁带、高击穿电场等特点,使其非常适合于宽带、高效率功率放大器的研制。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS软件进行了电路仿真设计,并制作了一种S频段GaN功率放大器。文章详述了电路仿真过程,并对设计的GaN功率放大器进行了测试,测试结果表明：设计的放大器在工作频段内输出功率大于41dBm,效率59.9%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚利鸣		2	7	2.0	2.0
2	崔浩		3	11	2.0	3.0
3	罗维玲		4	15	3.0	3.0
4	胡文宽		3	11	2.0	3.0